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導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間材料，我們稱之為半導(dǎo)體。在電子器件中，常用的半導(dǎo)體材料有：元素半導(dǎo)體，如硅（Si）、鍺（Ge）等；化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵（GaAs）等；以及摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼（B）、磷（P）、錮（In）和銻（Sb）等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體有以下特點(diǎn)：1．半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間2．半導(dǎo)體受外界光和熱的刺激時(shí)，其導(dǎo)電能力將會(huì)有顯著變化。3．在純凈半導(dǎo)體中，加入微量的雜質(zhì)，其導(dǎo)電能力會(huì)急劇增強(qiáng)。

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導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間材料，我們稱之為半導(dǎo)體。 1990年代之前，作為第一代的半導(dǎo)體材料以硅（包括鍺）材料為主元素半導(dǎo)體占統(tǒng)治地位。但隨著信息時(shí)代的來(lái)臨，當(dāng)人們對(duì)信息的存儲(chǔ)、傳輸及處理的要求也越來(lái)越高時(shí)，以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代化合物半導(dǎo)體材料顯示了其巨大的優(yōu)越性。而以氮化物（包括SiC、ZnO等寬禁帶半導(dǎo)體）為第三代半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)越的特征正成為最重要的半導(dǎo)體材料之一。其中氮化鎵是最早被利用的、并且研究得最充分的第三代半導(dǎo)體。它有很強(qiáng)的鍵強(qiáng)度，決定了它的材料強(qiáng)度大，耐高溫，耐缺陷，不易退化，在器件應(yīng)用上有很多的優(yōu)點(diǎn)。SiC是在歷史上研究得較早的一種半導(dǎo)體，但由于它的晶相很多，單晶生長(zhǎng)困難，成本高，沒(méi)有得到重視。近年來(lái)由于計(jì)算機(jī)控制的生長(zhǎng)技術(shù)發(fā)展，它成為了又一種重要的第三代半導(dǎo)體。

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早期的半導(dǎo)體是工業(yè)用整流器上的氧化銅(50年代)，后來(lái)是硒片(60年代)。60年代我國(guó)是鍺材料，后來(lái)用摻雜的單晶硅。由于鍺半導(dǎo)體材料溫度特性差、資源少，基本上被硅取代。集成電路則全部是用硅材料半導(dǎo)體。　　發(fā)光管中用的，則是化合物半導(dǎo)體：磷砷化鎵、砷鋁化鎵、砷化鎵、磷銦砷化鎵……