NH4OH、氨水、一水合氨。他們有什么區別呀？？
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【NH4OH 分子，是純凈物】【氨水，為NH3通入水中形成的混合物】【一水合氨為NH3。H2O,純凈物,等同于NH4OH 】～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～【【【【我提供的關于NH4OH存在的證據】】】】:特殊清??溶液的TMAH取代基群效??ρ}晶氧化矽?化?W?C械研磨後之清洗 廖明吉1、趙天生1、潘同明2、雷添福21?夷蚊自???室、2?⒔煌ù?W?子工程研究所一、?介?Ψ?]發性???體像EPROM (Erasable Programmable ROM), EFPROM (Electical Erasable Programmable ROM)或快閃式???體(flash memory)中，複晶氧化矽需要有低漏?流與高崩?㈦??鋈カ@得足?蚓S持資料的特性。但是，非均?蜓}晶氧化矽薄膜厚度和粗糙複晶矽表面與複晶氧化矽界面?鷥唄╇?流與低崩?㈦??觥Ｗ罱諫畬撾⒚追e體?路製造工?S?中所使用化?W?C械研磨(Chemical Mechanical Polishing)過程已??成最主要使矽晶片表面平坦化技術[1]。化?W?C械研磨過程已?被?酶納蒲}晶矽薄膜之表面粗糙[2]。?尺寸縮小?r，?過化?W?C械研磨過程後之表面清??比以前更具有挑?鸚浴＿@裡有???主要??題：一??是微粒子及另一??是金?匐x子污染??留在矽晶片表面。刷子擦洗(brush scrubbing technology)技術已?被使用好?啄曖?斫?過化?W?C械研磨過程之後有效去除微粒子[3]。?過化?W?C械研磨過程後之使用清??溶液清洗中，使用?鶻y稀?氨水(NH4OH)是有效去除微粒子，氨水去除微粒子原理是?⑽礱娓g及使微粒子與矽晶片表面?嗤?荷，彼此互相排斥去除微粒子。表面清???㏕MAH (Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)取代基群，像TEAG (Tetra Ethyl Ammonium Hydroxide)、TPAH (Tetra Proply Ammonium Hydroxide)及TBAH (Tetra Butyl Ammonium Hydroxide)是用?碓黽尤コ⒘Ｗ有剩膀?〦DAT (Ethylene Diamine Tetra Acetic Acid)是用?斫檔徒?匐x子污染。?過化?W?C械研磨技術之後，使用這些清??溶液清洗有比較??去除微粒子及金?匐x子能力與較好?性[4]。二、???步驟 ?⒘?嘉褂玫??夯?W?庀喑練e法(LPCVD)疊3000埃厚度之第一?友}晶矽，且?v雜POCl3使複晶矽阻值??0-80?W姆／?撾幻娣e，然後把這些矽晶片?化?W?C械研磨技術研磨後，使用稀?CABOT SC-1做?閟lurry，在把這些矽晶片放在超音波振盪清洗器 ，使用不同清??溶液及PVA刷子清洗。這些清??溶液可分?椋篘H4OH、NH4OH + TMAH (NH4OH : TMAH = 100 : 1) + EDTA (100 ppm)、NH4OH + TEAH (NH4OH : TEAH = 100 : 1) + EDTA (100 ppm)、NH4OH + TPAH (NH4OH : TPAH = 100 : 1) + EDTA (100 ppm)及NH4OH + TBAH (NH4OH : TBAH = 100 : 1) + EDTA (100 ppm)。再把全部矽晶片?RCA方法清洗，然後放入爐管疊TEOS (Tetra Ethyl Ortho Silicate) 120埃厚度在複晶矽上，且在?過RTA退火後，馬上使用LPCVD疊第二?友}晶矽厚度??000埃，且?v雜POCl3使複晶矽阻值??0-80?W姆／?撾幻娣e。在黃光室開第一道光罩在第二?友}晶矽上，?⑺形?爐管長?裱?000埃厚度的二氧化矽後，開第二道光罩做金?俁?contact hole)，然後蒸?鋁5000埃厚度及開第三道光罩做成?容。?容結??與製造過程如?D一。使用Tencor-4500系統??y微粒子，矽晶片表面粗糙度由AFM?Q定，使用HP4145半?w??搗治?x量?y複晶氧化矽之?性。三、結果與?? TMAH取代基群與EDTA化?W結??如?D二。?D三所示表面角(contact angle)量?y結果，由?D可知【【【【NH4OH】】】】清??溶液表面角最大，其次是TMAH，而TEAH、TPAH及TBAH表面角最小。使用TMAH清??溶液有最粗糙複晶矽表面和最大複晶矽腐蝕率(etching rate)，其餘清??溶液之複晶矽表面粗糙度和腐蝕率?綴躋?尤?D四所示。TMAH取代基群是?做表面清?????能改??過化?W?C械研磨技術過後之複晶矽疏水性表面?成親水性表面[5]。?D 五所示?過化?W?C械研磨技術過後使用不同清??溶液清洗，微粒子留下複晶矽表面?的浚薔H4OH清??溶液去除微粒子能力較差，其餘清??溶液去除微粒子能力差不多。?D六(a)與(b)所示正與?的J-E特性曲?，???Eox)的獲得是Eox=Vox/tox，V苨x指??漢蛅ox指等效二氧化矽厚度，由CV量?y?Q定它的厚度。由?D六(a)可知TPAH清??溶液有較好崩?㈦???electric breakdown field, Ebd)比其他清??溶液，而?過化?W?C械研磨技術過後使用TEAH清??溶液清洗有較低漏?流比其他清??溶液如?D六(a)所示。但是，在?的J-E特性曲?中使用TPAH與TEAH清??溶液清洗有較低漏?流比其他清??溶液在?D六(b)所示。?D七(a)與(b)所示正與?的崩?㈦??齜?眩琓PAH清??溶液有較高崩?㈦??齜?眩褂?鶻yNH4OH清??溶液清洗獲得最低崩?㈦??鯳eibull分?眩@種現象可能是TPAH清??溶液有好去除微粒子能力及較平的複晶矽表面。?榱肆私庋}晶氧化矽的可靠性，我??使用定?流??度量?y這些?容，?D八(a)與(b)所示正與?的Weibull分?眩?流??度分?e是正50 mA/cm2與?20 mA/cm2，使用TPAH清??溶液洗有比較高?荷崩??charge to Breakdown, Qbd)分?馴繞淥??溶液，由於它有去除微粒子能力較??及較平的複晶矽表面。?過化?W?C械研磨技術過後之第一?友}晶矽有較高Qbd分?馴任唇?過化?W?C械研磨技術之第二?友}晶矽，這?詠Y果說明?過化?W?C械研磨技術過後之第一?友}晶矽有比較平坦表面，而未?過化?W?C械研磨技術之第二?友}晶矽表面較粗糙。?D九所示?荷陷阱特性(charge trapping characteristics)，明顯地，使用這些清??溶液清洗的閘?O??浩?gate voltage shift)隨著?r間增加而增加在正與?的定?流??度，由?D可知使用TPAH清??溶液清洗有較小的?O??浩票繞淥??溶液，這種改進現象暗示它有較少的捕捉?子與較低?子陷阱率(electron trapping rate)比其他清??溶液，未?過化?W?C械研磨技術之第二?友}晶矽有較高的?子陷阱率比?過化?W?C械研磨技術過後之第一?友}晶矽，除此之外，粗糙的第二?友}晶矽表面引起較小的?娣e及高的局部?流??度而產生高的?子陷阱率。四、結?第一?友}晶矽?化?W?C械研磨技術研磨後，使用表面清???㏕PAH清??溶液清洗有較高Ebd及Qbd分?雅c較低漏?流比其他清??溶液，由於它有去除微粒子能力較??及較平的複晶矽表面。。
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NH4OH、氨水、一水合氨。他們有什么區別呀？？ 將NH3溶與水得氨水，在NH3溶與水的過程中NH3和水反應： NH3 + H20 == NH3.H20 == NH4+ + OH-(中間為可逆符號)所以一水合氨是氨水中的主要溶質.氨水中還有水分子,NH4+ , OH-,氨水當然是混合物了,一般不認為有NH4OH這樣的物質.
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NH3溶于水時，與水反應，生成NH3·H2O ，既水合氨，其結合在于NH3分子中有未共用電子對 ∶NH3，它和H2O中的H結合成 H3N∶H-O-H ，在溶液中，絕大多數的NH3都轉化為水合氨，水合氨不穩定，很易分解。由于氨分子中N的影響，結合水中的O的電子云密度的變化，使其H-O的鍵能減弱，從而使水合氨釋放出OH-，而使系統穩定：NH3·H2O→NH4+ + OH- 。它這樣的性質，使其溶液中存在NH4+ 和OH- ，這和溶液中存在著NH4OH一樣，曾有人試圖在溶液中找到NH4OH存在的證據，但似乎沒有太大的成果，冷凍氨水，也難發現NH4OH 的結晶跡象，所以人們并不認為NH4OH的真實存在。所以在教科書幾無其地位。氨水既氨的水溶液。在實驗室有重要用途。